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标题
GaN E-mode Complementary Transistors Based on a GaN-on-Si Platform Operational at 350°C
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DOI
10.1109/drc61706.2024.10605554 doi
其它 期刊:Device Research Conference
作者:S. Luo; Cheng Chang; Q. Xie; Tao Li; Mingfei Xu; et al
出版日期:2024-06-24
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