| 标题 |
Unified Analysis of Time-Dependent Dielectric Breakdown to Extend Reliability Margins 相关领域
随时间变化的栅氧化层击穿
可靠性(半导体)
电子工程
泄漏(经济)
介电强度
电容器
消散
工程类
可靠性工程
CMOS芯片
超大规模集成
逻辑门
电气工程
阈值电压
电压
集成电路
电路可靠性
炸薯条
半导体器件建模
材料科学
功率半导体器件
电介质
可靠性理论
故障率
高压
电子线路
功率(物理)
击穿电压
和大门
栅极电介质
静电放电
电迁移
计算机科学
集成电路设计
导线
低功耗电子学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:A. Vici; L. Pantisano; P. J. Roussel; A. Chasin; J. Franco; et al 出版日期:2025-10-06 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)