Enhancing Key Performance of Vertical GaN MOS Capacitors Through GaOx Interface Technology

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标题	Enhancing Key Performance of Vertical GaN MOS Capacitors Through GaOx Interface Technology
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/11117210/11117222/111182...
DOI	10.23919/ispsd62843.2025.11118206 doi
其它	期刊：International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's 作者：Jinpei Lin; X.-Y. Pei; Xiaohua Li; Haiwen Liu; Renqiang Zhu; et al 出版日期：2025-06-01
求助人	ange 在 2026-09-04 10:12:17 发布自广东，悬赏 10 积分
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