标题 |
High performance and reliable strained SiGe PMOS FinFETs enabled by advanced gate stack engineering
先进的栅堆工程实现高性能和可靠的应变SiGe PMOS FinFETs
相关领域
PMOS逻辑
堆栈(抽象数据类型)
材料科学
硅锗
光电子学
逻辑门
工程物理
电子工程
电气工程
计算机科学
工程类
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硅
电压
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期刊: 作者:Pouya Hashemi; Takashi Ando; E. Cartier; Kam‐Leung Lee; J. Bruley; et al 出版日期:2017-12-01 |
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