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 Intrinsic direct bandgap semiconductor with high stability, strong anisotropy and controllable edge position in BrHfN monolayer BrHfN单层中具有高稳定性、强各向异性和边缘位置可控的本征直接带隙半导体
相关领域
单层
带隙
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材料科学
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期刊：Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures 作者：Chenggong Zhang; Wei-xiao Ji; Ping Li; Changwen Zhang; Pei‐ji Wang 出版日期：2021-09-14 |
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