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 SRAM-Based PUF with Noise Immunity Achieving 0.58% Native BER in 55-nm CMOS 基于SRAM的PUF具有抗噪性，在55纳米CMOS中实现0.58%的本机误码率
相关领域
CMOS芯片
噪声抗扰度
静态随机存取存储器
计算机科学
噪音（视频）
电子工程
光电子学
材料科学
工程类
电信
计算机硬件
人工智能
传输（电信）
图像（数学）
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| 其它 |
期刊：2022 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS) 作者：Zexin Su; Bo Li; Chang Liu; Xiaohui Su; Qian Luo; et al 出版日期：2024-05-19 |
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