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[高分] An Analysis for Gate-source Voltage of GaN HEMT Focused on Mutual Switch Effect in Half-Bridge Structure
相关领域
高电子迁移率晶体管 氮化镓 晶体管 电压 材料科学 电气工程 光电子学 电子工程 工程类 纳米技术 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.5370/kiee.2016.65.10.1664
AI链接 re.krdoi.org
DOI
10.5370/kiee.2016.65.10.1664 doi
其它 期刊：The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
作者：Hun-Gyu Chae; Dong-Hee Kim; Minjung Kim; Byoung‐Kuk Lee
出版日期：2016-10-01
求助人
阿木 在 2025-10-12 18:51:57 发布自宁夏，悬赏 150 积分
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