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 Dislocation nucleation triggered by thermal stress during Ge/Si wafer bonding process at low annealing temperature 相关领域
成核
退火（玻璃）
材料科学
位错
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薄脆饼
大气温度范围
无定形固体
凝聚态物理
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物理
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期刊：Applied Surface Science 作者：Donglin Huang; Ruoyun Ji; Liqiang Yao; Jinlong Jiao; Xiaoqiang Chen; et al 出版日期：2021-08-18 |
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