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标题
Ferroelectric-gate Field Effect Transistors: Working Principle, Materials Design, and Recent Research Progress
网址
DOI
10.6054/j.jscnun.2012.06.001 doi
求助人
shu 在 2026-03-05 14:55:15 发布自北京,悬赏 10 积分
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求助 / 应助时间线
  • 7个月前,求助关闭

    shu shu Lv3 求助人 关闭了本次求助。

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  • 7个月前

    shu shu Lv3 求助人 发起了本次求助

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