Two-dimensional analytical model for a non-lightly doped drain SOI MOSFET

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标题	Two-dimensional analytical model for a non-lightly doped drain SOI MOSFET 非轻掺杂漏极SOI MOSFET的二维解析模型相关领域绝缘体上的硅 MOSFET 兴奋剂光电子学材料科学电气工程工程类硅晶体管电压
网址	https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad27a2
DOI	10.35848/1347-4065/ad27a2 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Hui Xu; Guo Wei Cui; Yong Li; Wen Sun; Kui Xia; et al 出版日期：2024-03-01
求助人	ZT 在 2025-08-28 20:37:27 发布自甘肃，悬赏 10 积分
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