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标题
Dependence of latch-up and threshold voltages on channel length in single-gated feedback field-effect transistor
单栅反馈场效应晶体管中锁存电压和阈值电压对沟道长度的依赖性
相关领域
阈值电压 电压 频道（广播） 晶体管 排水诱导屏障降低 反向短通道效应 过驱动电压 场效应晶体管 信道长度调制 光电子学 材料科学 电气工程 物理 工程类
网址
https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac7b3e
DOI
10.1088/1361-6641/ac7b3e doi
其它 期刊：Semiconductor Science and Technology
作者：Sola Woo; Sangsig Kim
出版日期：2022-06-22
求助人
liwei 在 2025-08-30 18:30:12 发布，悬赏 10 积分
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