| 标题 |
 Dependence of latch-up and threshold voltages on channel length in single-gated feedback field-effect transistor 单栅反馈场效应晶体管中锁存电压和阈值电压对沟道长度的依赖性
相关领域
阈值电压
电压
频道（广播）
晶体管
排水诱导屏障降低
反向短通道效应
过驱动电压
场效应晶体管
信道长度调制
光电子学
材料科学
电气工程
物理
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Sola Woo; Sangsig Kim 出版日期：2022-06-22 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
cdercder
Kao
Nole
东方元语
张欢馨
Criminology34
乐空思
OK
xing_xing
aajhajkahna
cocodu
yjh123
学术文献互助
小小牛马
ming2026
行走的荷尔蒙
yi
dde
知了
sagitar
皖公网安备34019202002308
