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Gate leakage mechanisms caused by 60Co gamma irradiation on p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs 相关领域
光电子学
材料科学
宽禁带半导体
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氮化镓
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Danmei Lin; Xuefeng Zheng; Shaozhong Yue; Xiaohu Wang; Hao Zhang; et al 出版日期:2025-09-15 |
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