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 BEOL Compatible 15-nm Channel Length Ultrathin Indium-Tin-Oxide Transistors with Ion = 970 μA/μm and On/off Ratio Near 1011 at Vds = 0.5 V BEOL兼容的15nm沟道长度超薄铟锡氧化物晶体管，离子=970 μ A/μ m，Vds=0.5V时开/关比接近1011
相关领域
材料科学
晶体管
氧化铟锡
锡
光电子学
铟
电介质
电气工程
分析化学（期刊）
纳米技术
图层（电子）
化学
电压
色谱法
工程类
冶金
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期刊：2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Shengman Li; Mengchuan Tian; Chengru Gu; Runsheng Wang; Mengfei Wang; et al 出版日期：2020-02-14 |
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