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标题
Improving the Reverse-Recovery Performance of Si SJ-MOSFETs With a Low-Voltage GaN HEMT in a Cascode Configuration
用低压GaN HEMT在共源共栅配置中提高Si SJ-MOSFET的反向恢复性能
相关领域
共栅 高电子迁移率晶体管 材料科学 光电子学 MOSFET 氮化镓 电压 电气工程 宽禁带半导体 电子工程 晶体管 工程类 CMOS芯片 纳米技术 图层（电子） 放大器
网址
https://doi.org/10.1109/tpel.2024.3365065
AI链接 ust.hkdoi.org
DOI
10.1109/tpel.2024.3365065 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Power Electronics
作者：Ji Shu; Jiahui Sun; Zheyang Zheng; Kevin J. Chen
出版日期：2024-02-13
求助人
哐哐哐 在 2025-12-03 20:54:32 发布自安徽，悬赏 10 积分
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