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 UV Light-Emitting Diode With Buried Polarization- Induced n-AlGaN/InGaN/p-AlGaN Tunneling Junction 具有埋置偏振诱导n-AlGaN/InGaN/p-AlGaN隧道结的紫外发光二极管
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期刊：IEEE Photonics Technology Letters 作者：Yi Lu; Chuanju Wang; Victor Paiva De Oliveira; Zhiyuan Liu; Xiaohang Li 出版日期：2021-03-10 |
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