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New Total-Ionizing-Dose Resistant Data Storing Technique for NAND Flash Memory 相关领域
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期刊:IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 作者:Matchima Buddhanoy; Sadman Sakib; Umeshwarnath Surendranathan; M. Wasiolek; Khalid Hattar; et al 出版日期:2022-07-11 |
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