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 Nitrogen Annealing As a Sustainable Method for Interface Trap Passivation in 4H-SiC Mosfets 氮退火作为4H-SiC MOSFET界面陷阱钝化的可持续方法
相关领域
材料科学
光电子学
退火（玻璃）
MOSFET
CMOS芯片
碳化硅
钝化
宽禁带半导体
工程物理
晶体管
电气工程
纳米技术
工程类
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电压
图层（电子）
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期刊：ECS Meeting Abstracts 作者：Suman Das; Hengfei Gu; Lu Wang; A. C. Ahyi; L. C. Feldman; et al 出版日期：2022-10-09 |
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