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 Comparative Analysis of AlN/β-Ga2O3 and MgZnO/CdZnO Gate All Around Field Effect Transistors (GAA-FETs) for Analog/RF Applications 用于模拟/射频应用的AlN/β-Ga2O3和MgZnO/CdZnO栅极全包围场效应晶体管（GaA-FET）的比较分析
相关领域
光电子学
场效应晶体管
材料科学
晶体管
电气工程
工程类
电压
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期刊：Journal of Circuits, Systems, and Computers 作者：Yogesh Kumar Verma; Varun Mishra; Manoj Singh Adhikari; Suman Lata Tripathi; Santosh Kumar Gupta 出版日期：2024-10-18 |
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