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 Homoepitaxial Growth of 4H‐SiC on Vicinal Substrates 相邻衬底上4H-SiC的同质外延生长
相关领域
邻接
堆积
晶体缺陷
位错
表征（材料科学）
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期刊： 作者：Birgit Kallinger 出版日期：2021-12-01 |
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