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 Two precursor model for low-pressure chemical vapor deposition of silicon dioxide from tetraethylorthosilicate 四乙基硅酸盐低压化学气相沉积二氧化硅的双前驱体模型
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期刊：Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures 作者：M. Mazhar IslamRaja; Chang Chen; J.P. McVittie; Mark A. Cappelli; Krishna C. Saraswat 出版日期：1993-05-01 |
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