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 Study for the Reliability of Nano-Scale MOS Devices that Experienced Implantation of Hydrogen or Deuterium at the Back-End of the Process Line 相关领域
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期刊：Journal of the Korean Physical Society 作者：Jaesung Lee; Dae-Gab Lee; Seung-Woo Do; Yong‐Hyun Lee 出版日期：2007-05-15 |
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