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Achieving high carrier concentration β-Ga2O3 epilayers via MOCVD using SiCl4 as dopant 相关领域
材料科学
掺杂剂
光电子学
兴奋剂
金属有机气相外延
基质(水族馆)
硅
透射率
电子迁移率
化学气相沉积
薄板电阻
载流子寿命
宽禁带半导体
电极
导电体
氧化物
纳米技术
外延
透明导电膜
扫描电子显微镜
化学工程
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Yaoping Lu; Zhenni Yang; Titao Li; Duanyang Chen; Hongji Qi; et al 出版日期:2026-01-12 |
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