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[求助补充材料]
 Characterization of trap density in Indium-Gallium-Zinc-Oxide thin films by admittance measurements in multi-finger MOS structures 多指MOS结构中的导纳测量表征铟镓锌氧化物薄膜中的陷阱密度
相关领域
铟
镓
存水弯（水管）
锌
表征（材料科学）
材料科学
导纳
光电子学
纳米技术
电气工程
冶金
物理
工程类
电阻抗
气象学
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期刊：Solid-state Electronics 作者：Hongwei Tang; Attilio Belmonte; Dennis Lin; Valeri Afanas’ev; Patrick Verdonck; et al 出版日期：2024-02-02 |
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