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标题
The Design of a 4H-SiC SGT MOSFET
4H-SiC SGT MOSFET的设计
相关领域
MOSFET 计算机科学 电气工程 工程类 晶体管 电压
网址
DOI
10.1109/icpeca60615.2024.10471111 doi
其它 期刊:
作者:Wu Haoran; Shang Shiguang; Huang Zilong
出版日期:2024-01-26
求助人
LQQ 在 2025-07-15 11:05:24 发布自福建,悬赏 10 积分
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