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  Architecture optimization of SPAD integrated in 28 nm FD-SOI CMOS technology to reduce the DCR 28 nm FD-SOI CMOS工艺中集成SPAD降低DCR的架构优化
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期刊：Solid-State Electronics 作者：D. Issartel; S. Gao; P. Pittet; R. Cellier; D. Golanski; et al 出版日期：2022-03-26 |
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