High-Quality Epitaxial N Doped Graphene on SiC with Tunable Interfacial Interactions via Electron/Ion Bridges for Stable Lithium-Ion Storage

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标题	High-Quality Epitaxial N Doped Graphene on SiC with Tunable Interfacial Interactions via Electron/Ion Bridges for Stable Lithium-Ion Storage
网址	https://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s40820-023-011...
DOI	10.1007/s40820-023-01175-6 doi
其它	期刊：Nano-micro Letters 作者：Changlong Sun; Xin Xu; Cenlin Gui; Fuzhou Chen; Yian Wang; et al 出版日期：2023-08-18
求助人	漫庭轩在 2026-10-28 19:09:13 发布自美国，悬赏 10 积分
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