| 标题 |
Effect of quantum well number on the efficiency and degradation of AlGaN-based far‑UVC LEDs emitting at 233 nm and 226 nm 量子阱数对233 nm和226 nm发射的AlGaN基远UVC LED效率和退化的影响
相关领域
发光二极管
光电子学
降级(电信)
材料科学
量子效率
量子
光学
物理
电信
量子力学
计算机科学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:Marcel Schilling; Jan Ruschel; Hyun Kyong Cho; Jens Raß; Jakob Höpfner; et al 出版日期:2025-03-11 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|