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[高分] Stress evolution analysis of gate-all-around transistors: frontside and backside integration approaches
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网址
https://doi.org/10.1117/12.3050355
DOI
10.1117/12.3050355 doi
其它 期刊：
作者：Sumant Sarkar; Qingpeng Wang; TaeYeon Oh; Sandy Wen; Ivan Chakarov; et al
出版日期：2025-04-22
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画画的baby 在 2026-09-12 09:04:12 发布自荷兰，悬赏 60 积分
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