| 标题 |
Cryogenic temperature dependence and hysteresis of surface-trap-induced gate leakage in Ga N high-electron-mobility transistors |
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| DOI |
10.1103/ngfc-3xr1
doi
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| 其它 |
期刊:Physical Review Applied 作者:Ching-Yang Pan; Shi-Kai Lin; Yu-An Chen; Pei-hsun Jiang 出版日期:2025-10-07 |
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(2025-6-4)