Ferroelectric Field-Effect Transistors Based on WSe2/CuInP2S6 Heterostructures for Memory Applications

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标题	Ferroelectric Field-Effect Transistors Based on WSe2/CuInP2S6 Heterostructures for Memory Applications
网址	https://doi.org/10.1021/acsaelm.1c00492
DOI	10.1021/acsaelm.1c00492 doi
其它	期刊：ACS applied electronic materials 作者：Xixi Jiang; Xiaobing Hu; Jihong Bian; Kai Zhang; Lin Chen; et al 出版日期：2021-10-25
求助人	荔枝草莓酱在 2026-09-16 18:01:30 发布自江苏，悬赏 10 积分
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