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Analysis for DC and RF Characteristics Recessed-Gate GaN MOSFET Using Stacked TiO2/Si3N4 Dual-Layer Insulator TiO2/Si3N4双层绝缘体叠层凹栅GaN MOSFET直流和射频特性分析
相关领域
材料科学
跨导
光电子学
MOSFET
绝缘体(电)
电容
电气工程
晶体管
电压
物理
电极
量子力学
工程类
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期刊:Materials 作者:So-Ra Min; Min-Su Cho; Sang Ho Lee; Jin Park; Hee-Dae An; et al 出版日期:2022-01-21 |
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