| 标题 |
 Heteroepitaxial α-Ga2O3 MOSFETs with a 2.3 kV breakdown voltage grown by halide vapor-phase epitaxy 卤化物气相外延生长击穿电压为2.3 kV的异质外延α-Ga2O3 MOSFET
相关领域
材料科学
外延
击穿电压
气相
光电子学
堆栈（抽象数据类型）
蓝宝石
接触电阻
卤化物
电极
基质（水族馆）
分析化学（期刊）
电压
纳米技术
化学
电气工程
图层（电子）
无机化学
光学
物理化学
计算机科学
色谱法
激光器
程序设计语言
热力学
海洋学
工程类
地质学
物理
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Express 作者：Yeong Je Jeong; Ji‐Hyeon Park; Min Jae Yeom; In-Ho Kang; Jeong Yong Yang; et al 出版日期：2022-05-27 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
璐璐
v0id
林狗
极限001
aaaa
invisight
xing_xing
嘻嘻哈哈
我能私信骂你吗
渡人舟
aajhajkahna
maxiaole
学术文献互助
changping
pluto
CarryLJR
谢雷XIELei
初景
整齐的孤菱
苏丹的论文
皖公网安备34019202002308
