| 标题 |
Enhanced Monolithic Bidirectional Dual-Gate GaN HEMT Switch with Split Source Field Plates for Current Collapse Suppression 相关领域
高电子迁移率晶体管
氮化镓
材料科学
光电子学
电流(流体)
晶体管
功率(物理)
电场
场效应晶体管
降级(电信)
宽禁带半导体
电气工程
领域(数学)
氮化物
功率半导体器件
电流源
电子工程
逻辑门
静电感应晶体管
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:2025 IEEE European Solid-State Electronics Research Conference (ESSERC) 作者:Yu-Ting Huang; Xiao-Quan Wu; Sheng-Hsi Hung; Tz-Wun Wang; Chi-Yu Chen; et al 出版日期:2025-11-06 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)