Investigation of Bulk Traps by Conductance Method in the Deep Depletion Region of the Al2O3/GaN MOS Device

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标题	Investigation of Bulk Traps by Conductance Method in the Deep Depletion Region of the Al2O3/GaN MOS Device
网址	http://dx.doi.org/10.1186/s11671-017-2111-z
DOI	10.1186/s11671-017-2111-z doi
其它	期刊：Nanoscale Research Letters 作者：Yuanyuan Shi; Qi Zhou; Anbang Zhang; Liyang Zhu; Yu Shi; et al 出版日期：2017-05-10
求助人	挽手说梦话在 2026-08-08 16:29:00 发布自湖北，悬赏 10 积分
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