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 Identification of Channel Hot Carrier Stress-Induced Oxide Traps Leading to Random Telegraph Signals in pMOSFETs 相关领域
俘获
氧化物
材料科学
压力（语言学）
氢
光电子学
分子物理学
化学
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生物
哲学
有机化学
冶金
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Tanvir Ahmed; Zeynep Çelik‐Butler; Fan-Chi Hou; Shaoping Tang; Guru Mathur 出版日期：2020-12-24 |
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