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Identification of Channel Hot Carrier Stress-Induced Oxide Traps Leading to Random Telegraph Signals in pMOSFETs
相关领域
俘获 氧化物 材料科学 压力（语言学） 氢 光电子学 分子物理学 化学 生态学 语言学 生物 哲学 有机化学 冶金
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2020.3044016
DOI
10.1109/ted.2020.3044016 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Tanvir Ahmed; Zeynep Çelik‐Butler; Fan-Chi Hou; Shaoping Tang; Guru Mathur
出版日期：2020-12-24
求助人
研友_Z14Bln 在 2025-10-16 18:10:53 发布自中国台湾，悬赏 10 积分
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