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First-principles study for orientation dependence of band alignments at the 4H-SiC/SiO2 interface
4H-SiC/SiO2界面能带排列取向依赖性的第一性原理研究
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网址
https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad1897
AI链接 iop.orgdoi.org
DOI
10.35848/1347-4065/ad1897 doi
其它 期刊：Japanese Journal of Applied Physics
作者：Shun Matsuda; Toru Akiyama; Tetsuo Hatakeyama; Kenji Shiraishi; Takashi Nakayama
出版日期：2023-12-25
求助人
Irene 在 2025-12-06 07:39:56 发布自北京，悬赏 10 积分
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