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 Si-Ion Implantation Doping in β-Ga2O3and Its Application to Fabrication of Low-Resistance Ohmic Contacts 相关领域
欧姆接触
材料科学
退火（玻璃）
兴奋剂
离子注入
电阻率和电导率
制作
分析化学（期刊）
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医学
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期刊：Applied Physics Express 作者：Kohei Sasaki; Masataka Higashiwaki; Akito Kuramata; Takekazu Masui; Shigenobu Yamakoshi 出版日期：2013-07-29 |
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