105× Endurance Improvement of FE-HZO by an Innovative Rejuvenation Method for 1z Node NV-DRAM Applications

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标题	105× Endurance Improvement of FE-HZO by an Innovative Rejuvenation Method for 1z Node NV-DRAM Applications
网址	http://dx.doi.org/10.23919/VLSITechnology51917.2021.9504339
DOI	10.23919/VLSITechnology51917.2021.9504339 doi
求助人	wxy 在 2025-10-12 15:11:31 发布自北京，悬赏 10 积分
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