Avalanche Capability Improvement by Optimizing p+ Contact Resistance for N-Channel Trench Power MOSFETs

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标题	Avalanche Capability Improvement by Optimizing p+ Contact Resistance for N-Channel Trench Power MOSFETs
网址	http://dx.doi.org/10.1109/tsm.2025.3581170
DOI	10.1109/tsm.2025.3581170 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 作者：Keisuke Miyamoto; Daichi Ishi; Hiroyuki Kishimoto; Kazuyuki Sato; Tsuyoshi Kachi; et al 出版日期：2025-08-01
求助人	Time 在 2026-07-30 16:36:25 发布自陕西，悬赏 10 积分
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