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Effect of tensile and compressive strain on the gate leakage current and inverse piezoelectric effect in AlGaN/GaN HEMT devices |
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Yiqun Zhang; Hui Zhu; Xing Liu; Zhirang Zhang; Chao Xu; et al 出版日期:2024-07-15 |
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(2025-6-4)