Hydrogen Plasma Treatment for Improving Reliability of In‐Ga‐Zn‐O Transistors Without Side Effects Through Post‐Annealing Process

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标题	Hydrogen Plasma Treatment for Improving Reliability of In‐Ga‐Zn‐O Transistors Without Side Effects Through Post‐Annealing Process
网址	https://doi.org/10.1002/aelm.202400893
DOI	10.1002/aelm.202400893 doi
其它	期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Taewon Seo; Juyoung Yun; Seung-Mo Kim; Changeon Jin; Seon-Woo Park; et al 出版日期：2025-04-28
求助人	英俊谷秋在 2026-09-15 20:03:19 发布自江苏，悬赏 10 积分
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