Partial etched AlGaN layer on p-GaN HEMT with gate field plate and drain field plate for channel temperature reduction

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标题	Partial etched AlGaN layer on p-GaN HEMT with gate field plate and drain field plate for channel temperature reduction
网址	https://doi.org/10.1109/SSLChinaIFWS57942.2023.10071069
DOI	10.1109/SSLChinaIFWS57942.2023.10071069 doi
其它	期刊：2022 19th China International Forum on Solid State Lighting & 2022 8th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA: IFWS) 作者：Shuang Wu; Luqiao Yin; Kailin Ren; Jianhua Zhang 出版日期：2023
求助人	Irene 在 2026-05-26 22:20:44 发布自重庆，悬赏 10 积分
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