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 Investigation of Failure Mechanisms of 1200 V Rated Trench SiC MOSFETs Under Repetitive Avalanche Stress 相关领域
MOSFET
材料科学
栅氧化层
击穿电压
随时间变化的栅氧化层击穿
电气工程
碳化硅
光电子学
阈值电压
晶体管
电压
工程类
复合材料
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Xiaochuan Deng; Wei Huang; Xu Li; Xuan Li; Chao Chen; et al 出版日期：2022-03-31 |
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