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标题
Ultrascaled 10 nm T‐gate E‐mode InAlN / AlN HEMT with polarized doped buffer for high power microwave applications
用于高功率微波应用的超大规模10 nm T栅极E型InAlN/AlN HEMT，具有偏振掺杂缓冲器
相关领域
材料科学 跨导 光电子学 高电子迁移率晶体管 兴奋剂 截止频率 击穿电压 功勋 晶体管 电气工程 电压 工程类
网址
https://doi.org/10.1002/mmce.23057
DOI
10.1002/mmce.23057 doi
其它 期刊：International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering
作者：Megha Sharma; Rishu Chaujar
出版日期：2022-01-06
求助人
郜尔阳 在 2025-12-03 19:02:34 发布自安徽，悬赏 10 积分
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