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 Improved Electrostatics through Digital Etch Schemes in Vertical GaSb Nanowire p-MOSFETs on Si 通过数字蚀刻方案改善Si上垂直GaSb纳米线P-MOSFET的静电学
相关领域
纳米线
静电学
材料科学
光电子学
MOSFET
工程物理
纳米技术
电气工程
物理
晶体管
工程类
电压
量子力学
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期刊：ACS Applied Electronic Materials 作者：Zhongyunshen Zhu; Adam Jönsson; Yen‐Po Liu; Johannes Svensson; Rainer Timm; et al 出版日期：2022-01-10 |
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