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 A novel gate-all-around with back-gate (GAAB) 3D NAND flash memory structure for high performance with disturbance-less program operation 相关领域
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期刊：Memories - Materials Devices Circuits and Systems 作者：Jae-Min Sim; In-Ku Kang; Sung-In Hong; Chang-Han Kim; Changhyun Cho; et al 出版日期：2023-08-06 |
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