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  Effect of ALD Processes on Physical and Electrical Properties of HfO2 Dielectrics for the Surface Passivation of a CMOS Image Sensor Application ALD工艺对用于CMOS图像传感器表面钝化的HfO2电介质物理和电学性能的影响
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期刊：IEEE Access 作者：Honggyun Kim; Vijay D. Chavan; Jamal Aziz; Byoungsu Ko; Jae-Sung Lee; et al 出版日期：2022-06-17 |
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