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 Characterization of semipolar (11$ \bar 2 $2) GaN on c ‐plane sapphire sidewall of patterned r ‐plane sapphire substrate without SiO2 mask 无SiO2掩模图案化r面蓝宝石衬底c面蓝宝石侧壁上半极性(11$\bar 2$2)GaN的表征
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期刊：Physica status solidi. C, Conferences and critical reviews/Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics 作者：Akihiro Kurisu; Kazuma Murakami; Y. Abe; Narihito Okada; Kazuyuki Tadatomo 出版日期：2010-04-26 |
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