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标题
Achieving Excellent Surface Passivation with J0,s Less Than 0.5 fA cm−2 Utilizing a Carbon‐Incorporated Intrinsic Polysilicon‐Based Tunnel Oxide Passivating Contact Structure
利用掺入碳的本征多晶硅基隧道氧化物钝化接触结构实现J0，s小于0.5 fA cm-2的优异表面钝化
相关领域
钝化 材料科学 薄脆饼 硅 氧化物 碳纤维 光电子学 化学气相沉积 晶体硅 载流子寿命 图层（电子） 分析化学（期刊） 纳米技术 复合材料 冶金 化学 复合数 色谱法
网址
https://doi.org/10.1002/smtd.202500380
AI链接 nih.govdoi.org
DOI
10.1002/smtd.202500380 doi
其它 期刊：Small methods
作者：Hongwei Zhou; Zunke Liu; Zhenhai Yang; Ruoyi Wang; Xian Zhang; et al
出版日期：2025-06-05
求助人
shgd 在 2025-11-21 09:03:45 发布自江苏，悬赏 10 积分
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