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[高分] Heterostructure of binaries II-VI semiconductors ZnTe and ZnSe / III-V (GaAs, InP, GaSb)
相关领域
外延 光致发光 异质结 材料科学 光电子学 半导体 衍射 气相 半导体材料 光学 纳米技术 图层（电子） 物理 热力学
网址
https://doi.org/10.1051/jp4:1993318
AI链接 archives-ouvertes.fr hal.science hal.science archives-ouvertes.frdoi.org
DOI
10.1051/jp4:1993318 doi
其它 期刊：Journal de Physique IV (Proceedings)
作者：A. Haidoux; P. Tomasini; M. Maurin; J.C. Tédenac; D. Coquillat; et al
出版日期：1993-08-01
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Messi 在 2025-10-15 14:29:44 发布自中国台湾，悬赏 50 积分
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